PECVD利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)跃闹，可以生長(zhǎng)a-Si、SiOx底洗、SiNx等材料半導(dǎo)體納米薄膜祝懂。捷造的PECVD技術(shù)應(yīng)用于范圍從6英寸到12英寸的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，300mmx300mm到1200x1200mm的中試設(shè)備坠敷，以及產(chǎn)能500MW-750MW的生產(chǎn)型設(shè)備汹涯。
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CBV系列型智能流導(dǎo)控制閥是泵端壓力控制系統(tǒng)的核心單元，集成了蝶形流導(dǎo)閥門(mén)数屁、測(cè)量電路片侧、閉環(huán)控制器、通信和閥門(mén)驅(qū)動(dòng)電路透格∥⑿控制器內(nèi)置控制算法和高速驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以使系統(tǒng)壓力快速達(dá)到設(shè)定值，并且具有最小的超調(diào)量韭拙∩匙纾控制器帶有學(xué)習(xí)算法，可以使閥門(mén)適應(yīng)多種復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境祥扒。
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采用低損傷濺射技術(shù)普易、離子源離子輔助沉積、共蒸發(fā)等物理氣相沉積(PVD)技術(shù)疾隙，應(yīng)用于光伏半導(dǎo)體TCO電極畜股、鈣鈦礦材料沉積，捷造的PVD技術(shù)涵蓋實(shí)驗(yàn)室鸯两、中試和產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)應(yīng)用鸟蟹。
Learn more捷造的專(zhuān)用核心部件和儀器或详，廣泛應(yīng)用于光伏和半導(dǎo)體設(shè)備，用于解決工藝制程中核心操作，這些部件包含等離子體發(fā)生潮针、濺射陰極鄙划、蒸發(fā)源疤坝、壓力控制閥伐弹、門(mén)閥、真空機(jī)械手帅韧、膜厚測(cè)量?jī)x等里初。
空心陰極和熱陰極離子源，最大電流50-150A忽舟，中低壓工作電壓双妨，可用于離子束加熱、反應(yīng)離子輔助沉積等工藝制程
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安裝于標(biāo)準(zhǔn)450平臺(tái)的的多蒸發(fā)源共沉積模塊叮阅，2-6個(gè)獨(dú)立蒸發(fā)源刁品，獨(dú)立氣動(dòng)擋板，直流閉環(huán)電流控制。用于OLED/鈣鈦礦材料研究凡宅。
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