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JPE系列PECVD

單室/多室全自動(dòng)PECVD平臺(tái)都宅，工件6-12英寸標(biāo)準(zhǔn)硅片门贫，集成氣路柜忿偷、真空機(jī)械手傳輸怨喘、氮?dú)夥忾]環(huán)境片盒调限。

特 性

特征描述

  • 最大12英寸的RF/VHF-PECVD，利用等離子體化學(xué)氣相沉積過(guò)程歉莫，在12英寸工件表面沉積微電子器件用的薄膜膝班，可沉積非晶硅、微晶硅情召、氧化硅愧增、或硅的氮氧化物等薄膜，多工位全自動(dòng)操作钥屈，多路氣源選項(xiàng)悟民，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏等領(lǐng)域科研研究和中試生產(chǎn)篷就。
  • 帶內(nèi)置熱壁的升降地電極射亏，可控制氣流分布、局域等離子體放電范圍竭业、提高沉積均勻性
  • 全自動(dòng)雙面多片連續(xù)沉積

參 數(shù)

JPE12S4 四工位3工藝室12英寸全自動(dòng)PECVD

名稱 描述 數(shù)量
工藝腔室 全鋁真空室智润，自動(dòng)翻蓋，上噴淋電極未辆，下電極可升降窟绷，帶內(nèi)置熱壁 3
加熱緩沖室 鋁腔室，可加熱350℃咐柜，可緩存一片工件 1
工件 最大有效尺寸不小于12" 片盒可緩存5-10片
加熱溫度 地電極和可調(diào)節(jié)熱壁钾麸，350℃
電極間距 8-28
RF/VHF電源 13.56MHz/40.68MHz 3
特氣柜 工藝腔MFC 5-6-6路，兩通道進(jìn)工藝腔 3
壓力控制 薄膜規(guī)+變通導(dǎo)閥炕桨，穩(wěn)定壓力0.1-10Torr 3
極限真空 ≤3×10-4Pa
工件翻面 大氣環(huán)境全自動(dòng)機(jī)械手操作 1
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圖片

JEP12S4